24V 100ah bateri ion lithium

Struktur tekstur yang berkesan dapat meningkatkan arus litar - pendek, menyumbang kepada peningkatan prestasi sel solar. Makalah ini mula -mula memperincikan tingkah laku kakisan silikon wafer dalam sistem HF/HNO3/H2O. Dengan mengubah nisbah penyelesaian etsa, suhu, dan masa, kadar kakisan, reflektif wafer silikon, dan parameter output sel disiasat. Eksperimen mendapati bahawa kadar kakisan pertama meningkat dan kemudian menurun dengan peningkatan kandungan HF dalam sistem HF/HNO3/H2O, dan meningkat dengan peningkatan suhu. Mengenai reflektif, nisbah HF: HNO3 3: 1 menghasilkan reflektif terendah untuk wafer silikon. Walau bagaimanapun, selepas salutan refleksi PECVD anti -, kelebihan ini menurun sedikit berbanding wafer yang disediakan di bawah keadaan etsa lain. Mengenai parameter output sel, nisbah HF: HNO3 3: 1 mempamerkan kecekapan yang lebih rendah, manakala nisbah HF: HNO3 1: 5, dengan pemantulan yang sedikit lebih tinggi, mencapai kecekapan tertinggi. Berdasarkan penyelidikan mengenai tingkah laku kakisan wafer silikon dalam sistem HF/HNO₃/H₂O, makalah ini mencadangkan kaedah tekstur novel yang melibatkan etsa asid sekunder, yang berbeza dari proses pengeluaran konvensional. Pada mulanya, wafer silikon menjalani etsa utama dalam hno₃ - etchant yang kaya, diikuti oleh etsa sekunder dalam hf - etchant yang kaya. Kaedah ini mengoptimumkan tekstur permukaan dan mengurangkan kerugian refleksi cahaya pada permukaan silikon. Selepas tekstur, morfologi permukaan wafer silikon dianalisis dengan menggunakan mikroskop elektron imbasan (SEM), dan spektrum pemantulan diukur menggunakan 5000 UV - vis - nir spektrofotometer. Reflektif minimum proses etsa sekunder (tanpa salutan antireflection) adalah 20.34%, 2.36%lebih rendah daripada proses etsa utama (22.70%). Selain itu, proses etsa sekunder yang baru digunakan untuk pengeluaran perindustrian sel solar, dan parameter output sel dianalisis. Keputusan menunjukkan bahawa voltan litar terbuka -, pendek - arus litar, dan kecekapan sel solar yang dirawat dengan proses etsa sekunder yang lebih baik meningkat kepada pelbagai darjah berbanding dengan yang menggunakan proses etsa utama, dengan kecekapan tertinggi mencapai 15.45%.